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集成電路制造工藝員（三級(jí)）單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.01.21)

單項(xiàng)選擇題
刻蝕是把進(jìn)行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒(méi)有被（）覆蓋及保護(hù)的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移掩膜圖案到薄膜上面的目的。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻膠
D.去離子水
單項(xiàng)選擇題
在空位擴(kuò)散中，如果遷移的空位的原子是雜質(zhì)原子，擴(kuò)散稱(chēng)為（）。
A.填隙擴(kuò)散
B.雜質(zhì)擴(kuò)散
C.推擠擴(kuò)散
D.自擴(kuò)散
單項(xiàng)選擇題
損傷的分布與注入離子在在靶內(nèi)的（）的分布密切相關(guān)。
A.能量淀積
B.動(dòng)量淀積
C.能量振蕩
D.動(dòng)量振蕩
單項(xiàng)選擇題
用g線和i線進(jìn)行曝光時(shí)通常使用哪種光刻膠（）。
A.ARC
B.HMDS
C.正膠
D.負(fù)膠
單項(xiàng)選擇題
在集成電路工藝中，光復(fù)制圖形和材料刻蝕相結(jié)合的工藝技術(shù)是（）。
A.刻蝕
B.氧化
C.淀積
D.光刻

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