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        集成電路制造工藝員(三級)單項選擇題每日一練(2019.01.22)

        • 單項選擇題

          在各種離子源常用的放電方式中,EOS是指有()。

          A.電子振蕩放電
          B.離子自動放電
          C.低電壓弧光放電
          D.雙等離子電弧放電

        • 單項選擇題

          離子從進入靶起到停止點所通過的總路程稱作()。

          A.離子距離
          B.靶厚
          C.射程
          D.注入深度

        • 單項選擇題

          表示雜質(zhì)在硅-二氧化硅界面處重新分布的性質(zhì)和程度,習(xí)慣上常用()。

          A.分凝度
          B.固溶度
          C.分凝系數(shù)
          D.擴散系數(shù)

        • 單項選擇題

          ()是通過把被蒸物體加熱,利用被蒸物在高溫時的飽和蒸汽壓來進行薄膜沉積的。

          A.蒸鍍
          B.濺射
          C.離子注入
          D.CVD

        • 單項選擇題

          涂膠以后的晶片,需要在一定的溫度下進行烘烤,這一步驟稱為()。

          A.后烘
          B.去水烘烤
          C.軟烤
          D.烘烤

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