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集成電路制造工藝員（三級(jí)）單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.01.19)

單項(xiàng)選擇題
采用熱氧化方法制備的二氧化硅從結(jié)構(gòu)上看是（）的。
A.結(jié)晶形態(tài)
B.非結(jié)晶形態(tài)
C.可能是結(jié)晶形態(tài)的，也可能是非結(jié)晶形態(tài)的
D.以上都不對(duì)
單項(xiàng)選擇題
涂膠以后的晶片，需要在一定的溫度下進(jìn)行烘烤，這一步驟稱為（）。
A.后烘
B.去水烘烤
C.軟烤
D.烘烤
單項(xiàng)選擇題
在熱擴(kuò)散工藝中的預(yù)淀積步驟中，硼在950～1100℃的條件下，擴(kuò)散時(shí)間大約（）為宜。
A.4～6h
B.50min～2h
C.10～40min
D.5～10min
單項(xiàng)選擇題
電離氣體與普通氣體的不同之處在于：后者是由電中性的分子或原子組成的，前者則是（）和中性粒子組成的集合體。
A.離子
B.原子團(tuán)
C.電子
D.帶電粒子
單項(xiàng)選擇題
離子源的基本結(jié)構(gòu)是由產(chǎn)生高密度等離子體的（）和引出部分組成。
A.電極
B.分析器
C.加速器
D.腔體

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