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集成電路制造工藝員（三級）單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.01.23)

單項(xiàng)選擇題
電離氣體與普通氣體的不同之處在于：后者是由電中性的分子或原子組成的，前者則是（）和中性粒子組成的集合體。
A.離子
B.原子團(tuán)
C.電子
D.帶電粒子
單項(xiàng)選擇題
（）是通過把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時(shí)的飽和蒸汽壓來進(jìn)行薄膜沉積的。
A.蒸鍍
B.濺射
C.離子注入
D.CVD
單項(xiàng)選擇題
薄膜沉積的機(jī)構(gòu)，依發(fā)生的順序，可以分為這幾個(gè)步驟。其中不包括（）。
A.形成晶核
B.晶粒自旋
C.晶粒凝結(jié)
D.縫道填補(bǔ)
單項(xiàng)選擇題
晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對二氧化硅的高選擇性。超薄的（）使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對它的刻蝕要盡可能的小。
A.n型摻雜區(qū)
B.P型摻雜區(qū)
C.柵氧化層
D.場氧化層
單項(xiàng)選擇題
固體中的擴(kuò)散模型主要有填隙機(jī)制和（）。
A.自擴(kuò)散機(jī)制
B.雜質(zhì)擴(kuò)散機(jī)制
C.空位機(jī)制
D.菲克擴(kuò)散方程機(jī)制

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