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<samp id="4sokk"><pre id="4sokk"></pre></samp>

單項(xiàng)選擇題

已知Si中摻有硼雜質(zhì)，且摻雜濃度為10¹⁷/cm³，則這是（）型半導(dǎo)體，該半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)在禁帶中線的（）

A.N，上方
B.P，上方
C.P，下方
D.N ，下方

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單項(xiàng)選擇題

已知MOS結(jié)構(gòu)的硅襯底費(fèi)米勢(shì)大于0，則該材料中的電子濃度（）空穴濃度。

A.大于
B.小于
C.等于
D.無(wú)法判斷

單項(xiàng)選擇題

N型硅襯底的MOS結(jié)構(gòu)，當(dāng)其柵極施加（）偏壓時(shí)，半導(dǎo)體表面附近會(huì)形成一層（）層。

A.正，電子積累
B.負(fù)，電子積累
C.正，空穴反型層
D.正，電子反型層

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