A.增加電樞電壓可以提高轉(zhuǎn)速 B.在額定情況下將勵(lì)磁電壓提高一倍,可以將轉(zhuǎn)速提高一倍 C.較小Ia可以減小轉(zhuǎn)矩 D.一般采用調(diào)節(jié)電樞電壓的方法進(jìn)行調(diào)速
A.交流電源 B.整流主電路 C.濾波器 D.負(fù)載及觸發(fā)控制電路
A.IGBT稱(chēng)為絕緣柵雙極晶體管 B.由GTR和MOSFET合成 C.功率等級(jí)比SCR高 D.開(kāi)關(guān)速率比MOSFET高