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二氧化硅膜能有效的對(duì)擴(kuò)散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件是雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)。
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半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于無(wú)定形二氧化硅。
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在常規(guī)熱氧化工藝中干氧氧化的速度最快。
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