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【計算題】試用一維非均勻摻雜(摻雜濃度隨x的增加而下降)的非簡并p型半導(dǎo)體模型導(dǎo)出愛因斯坦關(guān)系:
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【案例分析題】
設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格,
導(dǎo)帶極小值附近的能量
價帶極大值附近
式中m為電子質(zhì)量,
求出導(dǎo)帶底的電子躍遷到價帶頂時準(zhǔn)動量的改變量,能量的改變量。
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【案例分析題】
設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格,
導(dǎo)帶極小值附近的能量
價帶極大值附近
式中m為電子質(zhì)量,
求出導(dǎo)帶底電子的有效質(zhì)量和價帶頂空穴的有效質(zhì)量。
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