填空題

MOSFET的漏極伏安特性中的三個(gè)區(qū)域與GTR共發(fā)射極接法時(shí)的輸出特性中的三個(gè)區(qū)域有對應(yīng)關(guān)系，其中前者的截止區(qū)對應(yīng)后者的（）、前者的飽和區(qū)對應(yīng)后者的（）、前者的非飽和區(qū)對應(yīng)后者的（）。

答案： 截止區(qū)；放大區(qū)；飽和區(qū)
題目列表

你可能感興趣的試題

填空題

晶閘管的基本工作特性可概括為 （）。
答案： 正向電壓門極有觸發(fā)則導(dǎo)通、反向電壓則截止
微信掃碼免費(fèi)搜題