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問答題
【簡答題】簡述SiO
2
在集成電路中的用途。
答案:
①柵氧層:做MOS結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)層(熱生長)
②場氧層:限制帶電載流子的場區(qū)隔離(熱生長或沉積)
③保...
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SiO
2
-Si界面的雜質(zhì)分凝:()過程中,()在兩種材料中重新分布,()吸引受主雜質(zhì)(B)、排斥施主雜質(zhì)(P、As)。
答案:
高溫;雜質(zhì);氧化硅
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問答題
【簡答題】簡述摻氯氧化工藝。
答案:
在氧化工藝中,通常在氧化系統(tǒng)中通入少量的HCl氣體(濃度在3%以下)以改善SiO
2
–S...
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