A.缺陷方向與磁力線平行時(shí),漏磁場(chǎng)最大 B.漏磁場(chǎng)的大小與工件的磁化程度無(wú)關(guān) C.漏磁場(chǎng)的大小與缺陷的深度和寬度的比值有關(guān) D.工件表層下,缺陷所產(chǎn)生的漏磁場(chǎng),隨缺陷的埋藏深度增加而增大
A、它與試件上的磁通密度有關(guān) B、它與缺陷的高度有關(guān) C、磁化方向與缺陷垂直時(shí)漏磁通最大 D、以上都對(duì)
A、磁化強(qiáng)度為一定時(shí),缺陷高度小于1mm的形狀相似的表面缺陷,其漏磁通與缺陷高度無(wú)關(guān) B、缺陷離試件表面越近,缺陷漏磁通越小 C、在磁化狀態(tài)、缺陷種類和大小為一定時(shí),缺陷漏磁通密度受缺陷方向影響 D、交流磁化時(shí),近表面缺陷的漏磁通比直流磁化時(shí)要小 E、當(dāng)磁化強(qiáng)度、缺陷種類和大小為一定時(shí),缺陷處的漏磁通密度受磁化方向的影響 F、c,d和e都對(duì)