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問答題

【論述題】
Si-SiO₂界面電荷有哪幾種？簡述其來源及處理辦法。

答案：可動離子電荷Q_m來源：主要來源于Na+等網絡改變者。解決辦法：為了降低Na+的玷污，可以在工藝過程...

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問答題

【簡答題】
一片硅片由0.3um厚的SiO₂薄膜覆蓋。所需數據見下表，玻爾茲曼常數k=1.38×10^-23。（1）在1200℃下，采用H₂O氧化，使厚度增加0.5um需要多少時間？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同樣的厚度需要多少時間？

答案：

問答題

【論述題】簡述在熱氧化過程中雜質再分布的四種可能情況。

答案：如果假設硅中的雜質分布是均勻的，而且氧化氣氛中又不含有任何雜質，則再分布有四種可能。①分凝系數m＜l，且在SiO

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