- 搜標(biāo)題
- 搜題干
- 搜選項(xiàng)
問(wèn)答題
【論述題】
下圖為硅外延生長(zhǎng)速度對(duì)H2中SiCL4摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢(shì)，并給出其變化的原因。
答案：
SiCL4濃度較小，SiCL4被氫還原析出硅原子的速度遠(yuǎn)小于被釋放出來(lái)的硅原...
你可能感興趣的試題
問(wèn)答題
【論述題】影響外延薄膜的生長(zhǎng)速度的因素有哪些？
答案：
1）溫度高溫區(qū)B區(qū)，生長(zhǎng)速率對(duì)溫度的變化不敏感，生長(zhǎng)速率由氣相質(zhì)量輸運(yùn)控制，并且對(duì)反應(yīng)室的幾何形狀和氣流有很大的依賴性。...
問(wèn)答題
【論述題】簡(jiǎn)述外延薄膜的生長(zhǎng)過(guò)程，其最顯著的特征是什么？
答案：
生長(zhǎng)過(guò)程：①傳輸：反應(yīng)物從氣相經(jīng)邊界層轉(zhuǎn)移到Si表面；②吸附：反應(yīng)物吸附在Si表面；③化學(xué)反應(yīng)：在Si表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，...
