問答題

【論述題】根據(jù)曝光方式的不同，光學(xué)光刻機可以分成幾類？各有什么優(yōu)缺點？

答案：根據(jù)曝光方式不同光學(xué)光刻機主要分為三種：接觸式，接近式，投影式。接觸式：接觸式光刻機是最簡單的光刻機，曝光時，掩模壓在涂...

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【論述題】在干法刻蝕的終點檢測方法中，光學(xué)放射頻譜分析法最常見，簡述其工作原理和優(yōu)缺點。

答案：光學(xué)放射頻譜分析是利用檢測等離子體中某種波長的光線強度變化來達(dá)到終點檢測的目的。光強的變化反映了等離子體中原子或分子濃度...

【論述題】
采用CF₄作為氣體源對SiO₂進(jìn)行刻蝕，在進(jìn)氣中分別加入O₂或H₂對刻蝕速率有什么影響？隨著O₂或H₂進(jìn)氣量的增加，對Si和SiO₂刻蝕選擇性怎樣變化？為什么？

答案：加入少量的氧氣能夠提高Si和SiO₂的刻蝕速率。加入少量的氫氣可以導(dǎo)致Si和SiO₂