單項(xiàng)選擇題

下面哪一種薄膜工藝中底材會(huì)被消耗（）。

A.薄膜沉積
B.薄膜成長(zhǎng)
C.蒸發(fā)
D.濺射

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多項(xiàng)選擇題

下列組合中哪一種基本上用于刻蝕前者的干刻蝕法大都可以用來(lái)刻蝕后者（）。

A.二氧化硅氮化硅
B.多晶硅硅化金屬
C.單晶硅多晶硅
D.鋁銅
E.鋁硅

多項(xiàng)選擇題

以（）等兩層材料所組合而成的導(dǎo)電層便稱為Polycide。

A.單晶硅
B.多晶硅
C.硅化金屬
D.二氧化硅
E.氮化硅

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