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判斷題

標準雙極型工藝中的縱向NPN晶體管的發(fā)射區(qū)摻雜濃度比集電區(qū)小。

答案：錯誤

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從電路原理受控源的角度本質上看，工作在飽和區(qū)的MOS晶體管本質等效為電壓控制電流源。

答案：正確

常用的IC設計方法有全定制設計方法、標準單元設計方法、門陣列設計方法和可編程邏輯電路設計方法等。對于性能要求很高或批量很大的產(chǎn)品，如存儲器、微處理器等，一般采用可編程邏輯電路設計方法。

答案：錯誤

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