在半導體中加入微量的其他元素的原子,可以改變半導體的導電能力和導電類型。
當MOSFET進入飽和區(qū)時有效溝道長度隨漏源電壓的變化而變化,從而漏電流略有增加。
溝道長度減小到一定程度后出現(xiàn)的一系列二級物理效應,如閾值電壓的變化。