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A.放大裂紋或其它缺陷信號(hào)；
B.減少信噪比；
C.消除試樣電導(dǎo)率和磁導(dǎo)率少量不規(guī)則變化的影響；
D.從磁導(dǎo)率變化中分離出電導(dǎo)率變化.

A.二次電磁場(chǎng)與一次電磁場(chǎng)同相；
B.二次電磁場(chǎng)與一次電磁場(chǎng)相位差90°；
C.兩個(gè)電磁場(chǎng)分量之間的相位角總是大于90°，因而使一次電磁場(chǎng)部分抵消；
D.二次電磁場(chǎng)與一次電磁場(chǎng)相位差180°，因此產(chǎn)生一個(gè)大的相位移