單項(xiàng)選擇題

先導(dǎo)通道的形成是以（）的出現(xiàn)為特征。

A、碰撞游離
B、表面游離
C、熱游離
D、光游離

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單項(xiàng)選擇題

采用真空提高絕緣強(qiáng)度的理論依據(jù)是（）。

A、湯遜理論
B、流注理論
C、巴申定律
D、“小橋”理論

單項(xiàng)選擇題

流注理論未考慮（）的現(xiàn)象。

A、碰撞游離
B、表面游離
C、光游離
D、電荷畸變電場(chǎng)