A.表面氧化 B.奧氏體晶界發(fā)生氧化或融化 C.奧氏體晶粒粗大 D.晶體發(fā)生畸形
A.效率更高 B.淬硬層深度更容易控制 C.工藝過程簡單 D.設(shè)備簡單
A.0.15-0.50 B.0.1-0.3 C.0.3-0.6 D.0.4-0.8