電路參數(shù)如圖所示。設(shè)FET的參數(shù)為gm=0.8mS,rd=200Ω,3AG29(VT2)的β=40,rbe=1kΩ。試求放大電路的電壓增益和輸入電阻Ri。
電路如圖所示,已知晶體管的β=100,rbe=1KΩ,靜態(tài)時(shí)|UREO|=0.7V,其余參數(shù)如圖中所標(biāo)注。在空白處填入表達(dá)式或數(shù)值或給出的選項(xiàng)。 (1)靜態(tài)時(shí),基極電流|IBQ|=()≈()μA;集電極電流|ICQ|=()≈()mA;管電壓|UCEQ|=()≈()V。 (2)電壓放大倍數(shù)=()≈();輸入電阻Ri=()≈()KΩ;輸出電阻Ro=()≈()KΩ。 (3)空載時(shí),若輸入電壓增大到定幅值,則電路首先出現(xiàn)()失真(飽和;截止);帶3KΩ負(fù)載電阻時(shí),若輸入電壓增大到定幅值,則電路首先出現(xiàn)()失真(飽和;截止)