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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】亞微米CMOS工藝采用的標(biāo)準(zhǔn)隔離技術(shù)是什么？試說(shuō)明其主要工藝步驟。
答案：
淺槽溝道隔離（STI）技術(shù)
步驟：
Deposit Nitride，Oxide；
步驟：
Deposit Nitride，Oxide；
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】試說(shuō)明什么是LOCOS和它的主要作用以及該工藝的主要步驟，并說(shuō)明該工藝存在的主要問(wèn)題和解決方法。
答案：
LOCOS即硅的局部氧化隔離技術(shù)，是亞微米以前的硅IC制造的標(biāo)準(zhǔn)隔離技術(shù)。它是采用選擇氧化方法來(lái)制備厚的場(chǎng)氧化層，且工藝...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】試說(shuō)明MOS IC中器件之間是如何隔離的，并說(shuō)明器件隔離的主要作用和基本方法。
答案：
如何隔離：由于MOS晶體管之間不共享電器件，所以器件本身就是被pn結(jié)隔離；但器件會(huì)存在漏電流以及寄生的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所以...
