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A.半導(dǎo)體材料的霍爾常數(shù)比金屬的大
B.半導(dǎo)體中電子遷移率比空穴高
C.半導(dǎo)體材料的電子遷移率比較大
D.N型半導(dǎo)體材料較適宜制造靈敏度較高的霍爾元件

A.與單片相比，并聯(lián)時電荷量增加1倍、電容量增加1倍、輸出電壓不變
B.與單片相比，串聯(lián)時電荷量增加1倍、電容量增加1倍、輸出電壓增大1倍
C.與單片相比，并聯(lián)時電荷量不變、電容量減半、輸出電壓增大1倍
D.與單片相比，串聯(lián)時電荷量不變、電容量減半、輸出電壓不變