- 搜標(biāo)題
- 搜題干
- 搜選項(xiàng)
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】在半導(dǎo)體制造技術(shù)中，高k介質(zhì)和低k介質(zhì)各自應(yīng)用在什么地方，為什么？
答案：
低k材料用于層間介質(zhì)，因?yàn)榈蚹介質(zhì)減小電容，從而減小RC信號(hào)延遲，提高器件工作頻率。高k介質(zhì)用在替代柵氧化層，提高柵氧厚...
你可能感興趣的試題
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】什么是離子注入時(shí)的溝道效應(yīng)？列舉出三種控制溝道效應(yīng)的方法？
答案：
溝道效應(yīng)：?jiǎn)尉Ч柙訛殚L(zhǎng)程有序排列，當(dāng)注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時(shí)，就發(fā)生了溝道效應(yīng)，使預(yù)期的設(shè)計(jì)范...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】解釋為什么目前CMOS工藝中常采用多晶硅柵工藝，而不采用鋁柵工藝？
答案：
目前CMOS工藝中常采用多晶硅柵工藝，而不采用鋁柵工藝的原因是：
①采用自對(duì)準(zhǔn)方式，減小了晶體管的尺寸和柵電極...
①采用自對(duì)準(zhǔn)方式，減小了晶體管的尺寸和柵電極...
