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問答題
【簡答題】基于物理的深亞微米MOSFET模型考慮了哪些內(nèi)容？
答案：
內(nèi)容：
（1）閾值電壓下降；
（2）非均勻摻雜效應(yīng)；
（3）垂直電場引起的遷移率下降；
（1）閾值電壓下降；
（2）非均勻摻雜效應(yīng)；
（3）垂直電場引起的遷移率下降；
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問答題
【簡答題】美國加州伯克利分校在20世紀70年代末推出的SPICE軟件中包含的三個內(nèi)建MOS場效應(yīng)管模型是什么？
答案：
1級模型通過電流-電壓的平方律特性描述；
2級模型是一個詳盡解析的MOS場效應(yīng)管模型；
3級模型是一個半經(jīng)驗?zāi)Ｐ汀?/p>
