小尺寸MOS器件中的二級(jí)效應(yīng)包括:短溝道效應(yīng);窄溝道效應(yīng);飽和區(qū)溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng);遷移率退化和速度飽和;熱電子效應(yīng)。