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單項(xiàng)選擇題
在書(shū)寫(xiě)晶體結(jié)構(gòu)缺陷符號(hào)時(shí),上標(biāo)不寫(xiě)表示帶()個(gè)電荷。
A.0
B.-1
C.+2
D.+3
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單項(xiàng)選擇題
點(diǎn)缺陷根據(jù)產(chǎn)生原因可以分為()類。
A.1
B.2
C.3
D.4
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單項(xiàng)選擇題
Fe1-xO當(dāng)環(huán)境氧分壓升高時(shí),則其電導(dǎo)率與氧分壓的()次方成正比。
A.1/3
B.1/4
C.1/5
D.1/6
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