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晶體管中的少子在渡越()的過程中會發(fā)生(),從而使到達集電結的少子比從發(fā)射結注入基區(qū)的少子()。
答案:
基區(qū);復合;小
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晶體管的基區(qū)輸運系數(shù)是指()電流與()電流之比。由于少子在渡越基區(qū)的過程中會發(fā)生(),從而使基區(qū)輸運系數(shù)()。為了提高基區(qū)輸運系數(shù),應當使基區(qū)寬度()基區(qū)少子擴散長度。
答案:
基區(qū)中到達集電結的少子;從發(fā)射結剛注入基區(qū)的少子;復合;小于 1;遠小于
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PN結的摻雜濃度越高,雪崩擊穿電壓越();結深越淺,雪崩擊穿電壓就越()。
答案:
?。恍?/span>
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