首頁(yè)
題庫(kù)
網(wǎng)課
在線???/a>
桌面端
登錄
搜標(biāo)題
搜題干
搜選項(xiàng)
0
/ 200字
搜索
填空題
為提高跨導(dǎo)g的截止角頻率ω,應(yīng)當(dāng)()μ,()L,()V。
答案:
增大;減?。辉龃?/span>
點(diǎn)擊查看答案
在線練習(xí)
手機(jī)看題
你可能感興趣的試題
填空題
MOSFET的跨導(dǎo)的定義是(),反映了()對(duì)()的控制能力。
答案:
轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率;柵源電壓;漏極電流
點(diǎn)擊查看答案
手機(jī)看題
填空題
由于源、漏區(qū)的摻雜濃度()于溝道區(qū)的摻雜濃度,所以MOSFET源、漏PN結(jié)的耗盡區(qū)主要向()區(qū)擴(kuò)展,使MOSFET的源、漏穿通問(wèn)題比雙極型晶體管的基區(qū)穿通問(wèn)題()。
答案:
大;襯底;嚴(yán)重
點(diǎn)擊查看答案
手機(jī)看題
微信掃碼免費(fèi)搜題