問答題

【簡答題】什么是淺槽隔離（STI），它取代了什么工藝？

答案：

淺槽隔離（STI）是在襯底制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝。
取代了局域氧化工藝（LOCOS）
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問答題

【簡答題】離子注入后進行退火工藝的原因是什么？
答案： 可使裸露的硅片表面生長一層新的阻擋氧化層；高溫使得雜質(zhì)向硅中移動；可使注入引入的損傷得到修復(fù)；使雜質(zhì)原子與硅原子間的共價...
問答題

【簡答題】刻蝕工藝的目的是什么，這個區(qū)中最常用的設(shè)備是什么？
答案：

目的：硅片上沒有光刻膠保護的地方留下永久的圖形。
常用設(shè)備：等離子刻蝕機，等離子體去膠機和濕法清洗設(shè)備。
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