問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】解釋HDPCVD，它在IC中有什么優(yōu)勢(shì)？

答案：高密度等離子體化學(xué)氣相淀積；HDPCVD在IC中的優(yōu)勢(shì)是有良好的間隙能力，并可以在300-400℃較低的淀積溫度下，制備...

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2.對(duì)高的深寬比間隙有好的填充能力（用高密度等離子體）；
...

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【簡(jiǎn)答題】沉積多晶硅柵材料采用什么CVD工具，列舉多晶硅作為柵電極的6個(gè)原因。

答案：采用LPCVD工具；
1.通過(guò)摻雜可得到特定的電阻；
2.和二氧化硅優(yōu)良的界面特性；
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