單項選擇題

IGBT是一個復(fù)合型的器件，它是（）。

A.GTR驅(qū)動的MOSFET
B.MOSFET驅(qū)動的GTR
C.MOSFET驅(qū)動的晶閘管
D.MOSFET驅(qū)動的GTO

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單項選擇題

已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過晶閘管的電流（）。

A.減小至維持電流以下
B.減小至擎住電流以下
C.減小至門極觸發(fā)電流以下
D.減小至5A以下

單項選擇題

為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲時間，桓流驅(qū)動電路經(jīng)常采用（）。

A.du/dt抑制電路
B.抗飽和電路
C.di/dt抑制電路
D.吸收電路