問(wèn)答題

【計(jì)算題】晶格常數(shù)為0.25nm的一維晶格，當(dāng)外加10²V/m，10⁷V/m的電場(chǎng)時(shí)，試分別計(jì)算電子自能帶底運(yùn)動(dòng)到能帶頂所需的時(shí)間。

答案：

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問(wèn)答題

【計(jì)算題】
設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，導(dǎo)帶極小值附近能量E_c（k）和價(jià)帶極大值附近能量E_v（k）分別為：

（1）禁帶寬度；
（2）導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量；
（3）價(jià)帶頂電子有效質(zhì)量；
（4）價(jià)帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時(shí)準(zhǔn)動(dòng)量的變化。

答案：

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】以Si在GaAs中的行為為例，說(shuō)明IV族雜質(zhì)在III-V族化合物中可能出現(xiàn)的雙性行為。

答案： Si取代GaAs中的Ga原子則起施主作用；Si取代GaAs中的As原子則起受主作用。導(dǎo)帶中電子濃度隨硅雜質(zhì)濃度的增加而增...

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