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N型半導(dǎo)體中的自由電子是()形成的。
A.摻雜
B.能量擊發(fā)
C.摻雜與能量擊發(fā)
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硅管與鍺管的死區(qū)電壓分別為()V。
A.0.7,0.3
B.0.3,0.7
C.0.5,0.2
D.0.2,0.5
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單項(xiàng)選擇題
半導(dǎo)體中的載流子為()。
A.正離子
B.負(fù)離子
C.電子
D.自由電子和空穴
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