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【計算題】已知半導體InP具有閃鋅礦結構,In,P兩原子的距離為d=2Å,試求:(1)晶格常數(shù);(2)原胞基矢及倒格子基矢;(3)密勒指數(shù)為(1,1,0)晶面的面間距,以及In(1,1,0)晶面與P(1,1,1)晶面的距離。
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對于狀態(tài)K空著的近滿帶,其總電流就如同一個具有正電荷e的粒子,以空狀態(tài)K的電子速度所產(chǎn)生的,這個空的狀態(tài)稱為空穴;空穴具...
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