單項(xiàng)選擇題

在二次電子崩的頭部有大量電子進(jìn)入初始電子崩的正空間電荷區(qū)內(nèi)，與之混合成為充滿(mǎn)正、負(fù)帶電質(zhì)點(diǎn)的混合等離子通道，即形成（）

A.流注
B.離子崩
C.中子崩
D.導(dǎo)電道

微信掃碼免費(fèi)搜題