填空題

金屬-半導(dǎo)體接觸分：（）三種。當(dāng)半導(dǎo)體襯底濃度低于（）時(shí)，只能產(chǎn)生（），當(dāng)半導(dǎo)體襯底濃度高于（）時(shí) 可實(shí)現(xiàn)（）。

答案：肖特基接觸、歐姆接觸和合金接觸；10¹⁷/cm³；肖特基接觸；10²⁰/cm³；歐姆接觸

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半導(dǎo)體器件隔離的種類有：（）；（）和（）三種。P-N結(jié)隔離適合（）的器件。目前大多數(shù)CMOS器件采用（）隔離，絕緣介質(zhì)場(chǎng)區(qū)氧化層采用（）工藝生長(zhǎng)。

答案： P-N結(jié)隔離；介質(zhì)隔離；溝槽隔離；低密度、低成本；介質(zhì)；局部氧化（LOCOS）

免可控硅效應(yīng)的方法從（）寄生管的總增益，以及消除寄生晶體管出發(fā)，主要有：
1. （）；
2. （）；
3. 使用可以吸收注入電荷的（）；
4. （）；
5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的產(chǎn)生。

答案：降低；增加基區(qū)寬度（即P-NMOS管的間距和阱深）；增加基區(qū)摻雜；保護(hù)環(huán)；采用深槽隔離；采用SOI材料作襯底