填空題

?熱氧化工藝本質(zhì)上是在硅與二氧化硅（）發(fā)生的硅的氧化反應(yīng)。

答案：界面

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低壓氣相外延能降低（）效應(yīng)，從而降低了外延時(shí)的雜質(zhì)再分布。

答案：自摻雜

多項(xiàng)選擇題

關(guān)于鋁膜下列哪種說(shuō)法正確？（）

A.耐腐蝕性好
B.與硅接觸可能出現(xiàn)尖楔現(xiàn)象
C.抗電遷移性差
D.穩(wěn)定性好