單項選擇題

LPCVD-SiO2，將工藝控制在較高溫度，有：ks>>hg，此時淀積速率的特點為：

A、溫度的較小變化都會對淀積速率有較大影響；
B、淀積速率受氣相質(zhì)量輸運控制；
C、淀積速率受表面化學反應控制；
D、反應劑氣體濃度的變化對淀積速率的影響不大。
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