集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.04.30)
來源：考試資料網(wǎng)參考答案：工藝腔；硅片傳輸系統(tǒng)；溫控系統(tǒng)
2.填空題濺射鍍膜方法有（）、（）、（）、（）等。
參考答案：直流濺射；射頻濺射；偏壓濺射；磁控濺射（反應(yīng)濺射、離子束濺射）
4.名詞解釋橫向擴(kuò)散
參考答案：由于光刻膠無法承受高溫過程，擴(kuò)散的掩膜都是二氧化硅或氮化硅。當(dāng)原子擴(kuò)散進(jìn)入硅片，它們向各個方向運(yùn)動：假如雜質(zhì)原子沿硅片表...
5.問答題與普通濺射法相比，磁控濺射的特點是什么？
6.名詞解釋有限表面源擴(kuò)散
參考答案：
擴(kuò)散開始時，表面放入一定量的雜質(zhì)源，而在以后的擴(kuò)散過程中不再有雜質(zhì)加入，此種擴(kuò)散稱為有限源擴(kuò)散。
7.名詞解釋Fabless
參考答案：
IC設(shè)計公司，只設(shè)計不生產(chǎn)。
8.判斷題投影掩膜版上的圖形是由金屬鉭所形成的。
參考答案：熱擴(kuò)散；離子注入
