集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.05.06)

判斷題
CMP帶來的一個顯著的質(zhì)量問題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū)，可能引起同一層金屬之間的斷路。
答案：正確
問答題
為什么硅片熱氧化結(jié)束時通常還要進行氫氣或氫－氮混合氣體退火？
答案：距Si/SiO2界面2nm以內(nèi)的Si的不完全氧化是帶正電的固定氧化物電荷區(qū)；對于器件的正常工作，界面處的電荷堆積是不受歡...
問答題
簡述BGA的安裝互聯(lián)技術(shù)？
答案：安裝前需檢查BGA焊球的共面性以及有無脫落，BGA在PWB上的安裝與目前的SMT工藝設(shè)備和工藝基本兼容。
先將...
名詞解釋
玻璃回流
答案：
是升高溫度的情況下給摻雜氧化硅加熱，使它發(fā)生流動。
問答題
簡述兩步擴散的含義與目的？
答案：為了同時滿足對表面濃度、雜質(zhì)總量以及結(jié)深等的要求，實際生產(chǎn)中常采用兩步擴散工藝：第一步稱為預(yù)擴散或預(yù)淀積，在較低的溫度下...
名詞解釋
間隙式擴散
答案：間隙式擴散指間隙式雜質(zhì)從一個間隙位置運動到相鄰的間隙位置。
判斷題
與APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的產(chǎn)量以及更好的膜性能，因此應(yīng)用更為廣泛。
答案：正確
問答題
集成電路測試的意義和基本任務(wù)？
答案：意義：集成電路（IC.測試是伴隨著集成電路的發(fā)展而發(fā)展的，它對促進集成電路的進步和應(yīng)用作出了巨大地貢獻。
任務(wù)...
名詞解釋
離子注入的晶格損傷
答案：高能離子注入硅片后與靶原子發(fā)生一系列碰撞，可能使靶原子發(fā)生位移，被位移原子還可能把能量依次傳給其它原子，結(jié)果產(chǎn)生一系列的...
判斷題
不正確的刻蝕將導(dǎo)致硅片報廢，給硅片制造公司帶來損失。
答案：正確

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集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.05.06)

CMP帶來的一個顯著的質(zhì)量問題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū)，可能引起同一層金屬之間的斷路。

為什么硅片熱氧化結(jié)束時通常還要進行氫氣或氫－氮混合氣體退火？

簡述BGA的安裝互聯(lián)技術(shù)？

玻璃回流

簡述兩步擴散的含義與目的？

間隙式擴散

與APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的產(chǎn)量以及更好的膜性能，因此應(yīng)用更為廣泛。

集成電路測試的意義和基本任務(wù)？

離子注入的晶格損傷

不正確的刻蝕將導(dǎo)致硅片報廢，給硅片制造公司帶來損失。

集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2019.05.06)

CMP帶來的一個顯著的質(zhì)量問題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū)，可能引起同一層金屬之間的斷路。

為什么硅片熱氧化結(jié)束時通常還要進行氫氣或氫－氮混合氣體退火？

簡述BGA的安裝互聯(lián)技術(shù)？

玻璃回流

簡述兩步擴散的含義與目的？

間隙式擴散

與APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的產(chǎn)量以及更好的膜性能，因此應(yīng)用更為廣泛。

集成電路測試的意義和基本任務(wù)？

離子注入的晶格損傷

不正確的刻蝕將導(dǎo)致硅片報廢，給硅片制造公司帶來損失。

CMP帶來的一個顯著的質(zhì)量問題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū)，可能引起同一層金屬之間的斷路。

為什么硅片熱氧化結(jié)束時通常還要進行氫氣或氫－氮混合氣體退火？

簡述BGA的安裝互聯(lián)技術(shù)？

簡述兩步擴散的含義與目的？

與APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的產(chǎn)量以及更好的膜性能，因此應(yīng)用更為廣泛。

不正確的刻蝕將導(dǎo)致硅片報廢，給硅片制造公司帶來損失。