半導(dǎo)體物理章節(jié)練習(xí)(2020.05.18)
來(lái)源：考試資料網(wǎng)
3.問(wèn)答題當(dāng)E-EF為1.5k0T，4k0T，10k0T時(shí)，分別用費(fèi)米分布函數(shù)和玻耳茲曼分布函數(shù)計(jì)算電子占據(jù)各該能級(jí)的概率。
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述低頻共基極電流增益的公式總結(jié)。
6.問(wèn)答題0.12kg的Si單晶摻有3.0×10-9kg的Sb，設(shè)雜質(zhì)全部電離，試求出此材料的電導(dǎo)率。（Si單晶的密度為2.33g/cm3，Sb的原子量為121.8）
7.名詞解釋過(guò)剩載流子
參考答案：在光注入、電注入、高能輻射注入等條件下，半導(dǎo)體材料中會(huì)產(chǎn)生高于熱平衡時(shí)濃度的電子和空穴，超過(guò)熱平衡濃度的電子△n=n-n...
參考答案：電離雜質(zhì)的散射；晶格振動(dòng)的散射
