填空題

IGBT 的開啟電壓UGE（th）隨溫度升高而（），開關(guān)速度（）電力MOSFET 。

答案：略有下降；小于

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MOSFET的漏極伏安特性中的三個(gè)區(qū)域與GTR共發(fā)射極接法時(shí)的輸出特性中的三個(gè)區(qū)域有對應(yīng)關(guān)系，其中前者的截止區(qū)對應(yīng)后者的（）、前者的飽和區(qū)對應(yīng)后者的（）、前者的非飽和區(qū)對應(yīng)后者的（）。

答案：截止區(qū)；放大區(qū)；飽和區(qū)

晶閘管的基本工作特性可概括為（）。

答案：正向電壓門極有觸發(fā)則導(dǎo)通、反向電壓則截止