問答題

【簡答題】簡述熱生長氧化層與沉積氧化層的區(qū)別。

答案： ①結(jié)構(gòu)及質(zhì)量：熱生長的比沉積的結(jié)構(gòu)致密，質(zhì)量好。
②成膜溫度：熱生長的比沉積的溫度高?？稍?00℃獲得沉積氧化...

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答案： ①氧化溫度；
②氧化時間；
③摻雜效應(yīng)：重?fù)诫s的硅要比輕摻雜的氧化速率快
④硅片晶向：<1...

【簡答題】簡述SiO₂在集成電路中的用途。

答案： ①柵氧層：做MOS結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)層（熱生長）
②場氧層：限制帶電載流子的場區(qū)隔離（熱生長或沉積）
③保...