問答題

【簡答題】簡述離子注入退火目的與方法。

答案：工藝目的：消除晶格損傷，并且使注入的雜質(zhì)轉(zhuǎn)入替位位置從而實現(xiàn)電激活。
①高溫?zé)嵬嘶?br />通常的退火溫度：...

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【簡答題】簡述離子注入效應(yīng)。

答案：溝道效應(yīng)：當(dāng)注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時就發(fā)生了溝道效應(yīng)。
控制溝道效應(yīng)的方法：①傾斜硅片...

【簡答題】簡述離子注入工藝相對于熱擴散工藝的優(yōu)缺點。

答案：優(yōu)點：①精確地控制摻雜濃度和摻雜深度；
②可以獲得任意的雜質(zhì)濃度分布；
③雜質(zhì)濃度均勻性、重復(fù)性好；...