問答題

【簡答題】簡述部分離子注入工藝的作用。

答案： ①深埋層注入：高能（大于200KEV）離子注入，深埋層的作用：減小襯底橫向寄生電阻，控制CMOS的閂鎖效應(yīng)。
...

你可能感興趣的試題

【簡答題】簡述在先進(jìn)的CMOS工藝中，離子注入的應(yīng)用。

答案： ①深埋層注入；
②倒摻雜阱注入；
③穿通阻擋層注入；
④閾值電壓調(diào)整注入；
⑤輕...

【簡答題】簡述離子注入退火目的與方法。

答案：工藝目的：消除晶格損傷，并且使注入的雜質(zhì)轉(zhuǎn)入替位位置從而實(shí)現(xiàn)電激活。
①高溫?zé)嵬嘶?br />通常的退火溫度：...