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單項(xiàng)選擇題

DDRII內(nèi)存采用（）封裝形式，可以提供更好的電氣性能與散熱性。

A.FBGA
B.TSOP
C.BGA
D.BGA

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單項(xiàng)選擇題

DDRII數(shù)據(jù)頻率是核心頻率的（）倍。

A.0
B.1.5
C.2
D.4

單項(xiàng)選擇題

DDR數(shù)據(jù)頻率等于時(shí)鐘頻率的（）倍，核心頻率是時(shí)鐘頻率的（）倍。

A.2，2
B.2、0
C.2，4
D.2，1.5

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