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新標(biāo)準(zhǔn)DDRII內(nèi)存只需要()V電壓就可以正常工作。
A.1.5
B.1.7
C.1.8
D.2.5
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DDRII內(nèi)存采用()封裝形式,可以提供更好的電氣性能與散熱性。
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B.TSOP
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DDRII數(shù)據(jù)頻率是核心頻率的()倍。
A.0
B.1.5
C.2
D.4
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