判斷題

CVD是利用某種物理過(guò)程,例如蒸發(fā)或者濺射現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移,即原子或分子由源轉(zhuǎn)移到襯底(硅)表面上,并淀積成薄膜。

答案: 錯(cuò)誤
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用于亞0.25μm工藝的選擇性氧化的主要技術(shù)是淺槽隔離。

答案: 正確
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