問答題

【簡答題】采用提拉法(CZ法,切克勞斯基法)和區(qū)熔法制備的硅片,哪種方法質(zhì)量更高,為什么?那么目前8英寸以上的硅片,經(jīng)常選擇哪種方式制備,為什么?

答案:

區(qū)熔法制備的硅片質(zhì)量更高,因?yàn)楹趿康汀?br /> 8英吋以上的硅片,選擇CZ法制備,晶圓直徑大。

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答案: 化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)工作機(jī)理:表面材料與磨料發(fā)生反應(yīng),生成容易去除的表面層;同時表面層通過磨料中的研磨劑和研磨壓力與...
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【簡答題】Si3N4材料在半導(dǎo)體工藝中能否用作層間介質(zhì),為什么?請舉兩例說明Si3N4在集成電路工藝中的應(yīng)用。

答案: Si3N4材料在半導(dǎo)體工藝中不能用作層間介質(zhì),因?yàn)镾i3N4材料的介電常數(shù)大,用作層間介質(zhì)會引起很嚴(yán)重的互連延遲。
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